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技術(shù)文章

接觸式:4探針法測(cè)定-RT70V系列

在這里,我們將介紹接觸式電阻測(cè)量原理的概述(4探針法)(該原理的詳細(xì)說明在材料中)。

(*對(duì)于我們的產(chǎn)品,還有一個(gè)系統(tǒng)會(huì)根據(jù)電阻范圍使用不同的測(cè)量方法。)

 

四探針法主要用于接觸式情況,可以測(cè)量1E-3(1m)到1E + 9(1G)Ω/□電阻范圍。

這種測(cè)量方法是在廣泛領(lǐng)域中測(cè)量電阻的基礎(chǔ)。

 

●在四探針法中,將按照以下步驟進(jìn)行測(cè)量。

(1)將四個(gè)針狀電極直線地放在測(cè)量樣品上。

(2)兩個(gè)外部探頭之間流過恒定電流。

(3)通過測(cè)量?jī)蓚€(gè)內(nèi)部探針之間的電位差來計(jì)算電阻。

 

如下圖所示,相同的測(cè)量原理用于電阻和薄層電阻的測(cè)量。 

電阻(電阻率)

座阻力

我們的4探針測(cè)量系統(tǒng)是符合JIS和ASTM標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量方法和校正方法,已被用作行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量系統(tǒng),尤其受到硅相關(guān)用戶的信賴。我會(huì)。

另外,關(guān)于可追溯性,我們使用符合NIST(美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院)標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)樣品作為設(shè)備校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn),進(jìn)行認(rèn)真的裝運(yùn)前檢驗(yàn)。

* 4探針法和“ 4端子法”的測(cè)量原理相同,唯1的不同是與樣品接觸的電極部分的形狀不同。4探針的針距為1 mm =測(cè)量點(diǎn):大約3 mm,與4端子探針相比,可以在非常小的點(diǎn)上進(jìn)行測(cè)量。另外,如在四端子法中一樣,通過消除在樣品上形成電極的需要可以提高工作效率。

此外,納普森的4針電阻測(cè)量設(shè)備符合日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(JIS)和美國(guó)材料測(cè)試協(xié)會(huì)(ASTM)設(shè)定的以下標(biāo)準(zhǔn)。

日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

JIS H 0602-1995

硅單晶和硅晶片的四探針法電阻測(cè)量方法

JIS K 7194-1994

導(dǎo)電塑料四探針法電阻測(cè)試方法

美國(guó)材料試驗(yàn)學(xué)會(huì)

ASTM F 84-99(SEMI MF84)

用在線四點(diǎn)探針測(cè)量硅晶片電阻率的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法

ASTM F 374-00a

使用單配置程序的在線四點(diǎn)探針對(duì)硅外延層,擴(kuò)散層,多晶硅層和離子注入層的薄層電阻的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法

ASTM F 390-11

帶共線四探針陣列的金屬薄膜的薄層電阻的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法

ASTM F 1529-97

雙重配置程序的直插式四點(diǎn)探針的薄層電阻均勻性評(píng)估的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法

 

日本napson4探針法測(cè)量?jī)x

 

測(cè)量?jī)x:RT-70V>

  • 使用JOG撥盤,厚度,溫度,PN輸入(RT-70V測(cè)試儀),易于操作
  • 自檢功能,自動(dòng)量程切換,4種測(cè)量模式
  • 具有厚度/溫度補(bǔ)償功能(用于硅)

 

<測(cè)量階段>

*根據(jù)目的和用途,可以從以下選擇測(cè)量階段。

  • (1)RG-7C  [產(chǎn)品圖片左上]:電機(jī)自動(dòng)上下探針臺(tái)
  • (2)RG-5   [產(chǎn)品圖像左下方] 帶手動(dòng)手柄的探針上下平臺(tái)
  • (3)RG-7S [產(chǎn)品圖片右上]:用于玻璃基板/薄膜樣品的XY工作臺(tái) 
  • (4)TS-7D [產(chǎn)品圖像右下] 便捷的探頭類型*平臺(tái)板是可選的。

 

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

  • 與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料(硅,多晶硅,SiC等)
  • 新材料/功能材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
  • 導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
  • 擴(kuò)散樣本
  • 硅基外延離子注入樣品
  • 其他(*請(qǐng)與我們聯(lián)系)

測(cè)量尺寸

*組合測(cè)量取決于舞臺(tái)類型。

圓形:?300mm(12英寸),方形:?730x920mm,可廣泛使用。

測(cè)量范圍

[電阻(電阻率)]1μ?300kΩ? cm 
[板電阻] 5m?10MΩ/ sq

測(cè)量?jī)x:RT-70V>

  • 使用JOG撥盤,厚度,溫度,PN輸入(RT-70V測(cè)試儀),易于操作
  • 自檢功能,自動(dòng)量程切換,4種測(cè)量模式
  • 具有厚度/溫度補(bǔ)償功能(用于硅)

 

<測(cè)量階段>

*根據(jù)目的和用途,可以從以下選擇測(cè)量階段。

  • (1)RG-7C  [產(chǎn)品圖片左上]:電機(jī)自動(dòng)上下探針臺(tái)
  • (2)RG-5   [產(chǎn)品圖像左下方] 帶手動(dòng)手柄的探針上下平臺(tái)
  • (3)RG-7S [產(chǎn)品圖片右上]:用于玻璃基板/薄膜樣品的XY工作臺(tái) 
  • (4)TS-7D [產(chǎn)品圖像右下] 便捷的探頭類型*平臺(tái)板是可選的。

 

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

  • 與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料(硅,多晶硅,SiC等)
  • 新材料/功能材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
  • 導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
  • 擴(kuò)散樣本
  • 硅基外延離子注入樣品
  • 其他(*請(qǐng)與我們聯(lián)系)

測(cè)量尺寸

*組合測(cè)量取決于舞臺(tái)類型。

圓形:?300mm(12英寸),方形:?730x920mm,可廣泛使用。

測(cè)量范圍

[電阻(電阻率)]1μ?300kΩ? cm 
[板電阻] 5m?10MΩ/ sq

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