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技術(shù)文章

Si晶片和化合物晶片的高速加熱裝置介紹

Si晶片和化合物晶片的高速加熱裝置介紹

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臺(tái)式燈加熱器 MILA-5050

該設(shè)備是一種臺(tái)式燈加熱設(shè)備,可以對(duì)最大 50 平方毫米的樣品進(jìn)行熱處理。
自 MILA-5000 系列臺(tái)式燈加熱器作為樣品尺寸達(dá) 20 平方毫米的加熱裝置推出以來,已被許多客戶使用。 50 平方毫米,同時(shí)保持集成加熱爐、腔室和溫度控制器的緊湊型機(jī)身。

用途

  • Si晶片和化合物晶片的高速加熱

  • 光學(xué)CVD基板加熱等電子材料的高速加熱

  • 玻璃基板、陶瓷、復(fù)合材料等的熱處理。

  • 熱循環(huán)測(cè)試

  • 金屬材料的退火

  • 涂膜耐熱性評(píng)價(jià)

  • 有機(jī)材料和樹脂的加熱和干燥

特征

  • 熱處理可達(dá)到 50 平方毫米的樣品尺寸

  • 最高溫度1200℃

  • 可高速加熱和冷卻的紅外金像 臺(tái)式加熱裝置,集成加熱室和溫度控制器

  • 您可以輕松設(shè)置溫度程序并從個(gè)人計(jì)算機(jī)輸入外部信號(hào)。

  • 可以在個(gè)人電腦上顯示加熱過程中的溫度數(shù)據(jù)。

規(guī)格

溫度范圍室溫~1200℃
升溫速率50℃/秒
樣品尺寸正方形 50 或 φ 50 毫米 x 厚度 5 毫米
加熱氣氛在真空中,在各種氣流中

* 真空排氣裝置是一個(gè)選項(xiàng)
* 加熱溫度因被加熱材料的紅外反射/吸收、熱容量和材料而異。

測(cè)量數(shù)據(jù)

  • ① 500℃,Δt=3.2℃

  • ② 800℃,Δt=0.6℃

  • ③ 1000℃,Δt=4.2℃

  • ④ 1200℃,Δt=2.6℃



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